Samsung Electronics ha ottenuto un significativo passo avanti nel mercato delle memorie a larghezza di banda elevata, con la sua memoria HBM4 di nuova generazione che ha superato la concorrenza nei test di velocità ed efficienza energetica per il prossimo acceleratore AI Vera Rubin di Nvidia, secondo Giornale economico Maeil. Durante una visita della scorsa settimana, i rappresentanti di Nvidia hanno confermato che Samsung ha fornito “i migliori risultati nel settore delle memorie”, spingendo a richiedere volumi di fornitura che hanno superato di gran lunga le proiezioni interne di Samsung. Questo successo segna una drammatica inversione di rotta rispetto alla generazione HBM3E, dove Samsung era rimasta indietro rispetto ai rivali di quasi un anno. L’inversione di tendenza è attribuita a una strategia tecnica ad alto rischio in cui Samsung ha saltato completamente il processo DRAM D1b per passare direttamente al processo D1c a 10 nanometri. Combinando questa nuova DRAM con stampi logici prodotti utilizzando un processo di fonderia a 4 nanometri, Samsung è diventato il primo produttore a raggiungere velocità di trasferimento dati superiori a 11 gigabit al secondo. Mentre SK hynix mantiene un vantaggio di circa tre mesi, avendo già iniziato a fornire campioni a pagamento, Samsung è riuscita a ridurre con successo il divario rispetto alla generazione precedente. I dati di mercato riflettono questa ripresa, con Samsung che ha riconquistato il secondo posto nel mercato HBM durante il terzo trimestre del 2025 con una quota del 22%, superando Micron. Si prevede che i contratti saranno formalizzati nel primo trimestre del 2026, con consegne su larga scala previste per il secondo trimestre per rispettare la tempistica di Nvidia per il mercato. Vera Rubin lancio della piattaforma nel terzo trimestre del 2026.
