La memoria HBM4 di prossima generazione a larghezza di banda elevata di Samsung Electronics debutterà insieme all'acceleratore AI Rubin di NVIDIA alla conferenza GTC 2026 di marzo, dopo i test di qualità finali superati con NVIDIA e AMD. Un articolo esclusivo di biz.sbs.co.kr afferma che Samsung ha approvato le valutazioni finali di qualità per HBM4 sia da NVIDIA che da AMD. La produzione di massa dell'HBM4 inizierà il mese prossimo. Le unità prodotte in serie e spedite da Samsung a febbraio raggiungeranno NVIDIA per essere utilizzate nella dimostrazione delle prestazioni di Rubin all'evento GTC di marzo. L'HBM4 di Samsung funziona a 11,7 gigabit al secondo, la specifica più alta del settore. Questo supera i 10 gigabit al secondo richiesti da NVIDIA e AMD. L'anno scorso la memoria ha superato la verifica senza alcuna riprogettazione, anche dopo che i clienti avevano richiesto miglioramenti delle prestazioni. Questo risultato dimostra la completezza tecnologica del design HBM4 di Samsung. L'industria dei semiconduttori ha segnalato questi sviluppi il 25. Valutazioni all'interno del settore indicano che la tecnologia di memoria Samsung si è stabilizzata con questa fornitura HBM4. I precedenti divari tecnologici con i concorrenti, evidenti durante le fasi HBM3 e HBM3E, sono stati affrontati in HBM4. Samsung entra ora in una fase di recupero per la sua precedente posizione di leadership di prodotto. La fornitura su larga scala di HBM4 in grandi volumi è prevista per circa giugno. HBM4 si integra direttamente negli acceleratori AI come Rubin di NVIDIA, collegando la sua disponibilità ai programmi dei clienti per la produzione di massa del prodotto finale. I principali clienti attualmente producono chip di prossima generazione attraverso le fonderie. Di conseguenza, Samsung adegua i volumi delle spedizioni HBM4 per allinearli alle effettive tempistiche di produzione di massa e alle quantità specificate di questi clienti.
