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TSMC prevede ora che il mercato dei semiconduttori supererà i 1,5 trilioni di dollari

byEmre Çıtak
15 Maggio 2026
in Industria, It
Home Industria
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TSMC prevede che il mercato globale dei semiconduttori supererà 1,5 trilioni di dollari entro il 2030, rispetto a una stima precedente di 1,0 trilioni di dollari, secondo Reuters. La società ha attribuito questo aumento sostanziale alla crescente domanda di silicio per l’intelligenza artificiale, prevedendo che il 55% del mercato deriverà dall’intelligenza artificiale e dall’elaborazione ad alte prestazioni, mentre gli smartphone contribuiranno per il 20% e il settore automobilistico rappresenterà il 10%.

Si prevede che la domanda di wafer acceleratori IA aumenterà di 11 volte nel 2023 rispetto al 2022, indicando una significativa crescita a breve termine nel settore. TSMC sta rispondendo a questa domanda accelerando la costruzione di nuovi impianti di produzione oltre Taiwan.

Negli Stati Uniti, lo stabilimento di TSMC in Arizona, aiutato da una sovvenzione di 6,6 miliardi di dollari da parte del governo americano, sta già producendo chip da 4 nm, con l’intenzione di passare in futuro alla produzione a 3 e 2 nm. Un secondo stabilimento in Arizona è in fase di completamento e riceverà macchinari avanzati per la produzione di chip entro la fine dell’anno. Inoltre, TSMC sta attualmente costruendo un terzo stabilimento in Arizona, con piani per una quarta struttura e anche un sito di imballaggio avanzato. Si prevede che le attività in Arizona vedranno un aumento di 1,8 volte della produzione su base annua, ottenendo rendimenti paragonabili a quelli delle fabbriche di Taiwan dell’azienda.

TSMC gestisce anche un impianto di fabbricazione in Giappone che produce chip più vecchi da 22 e 28 nm, principalmente per componenti automobilistici e applicazioni a basso consumo. Si prevede che un secondo impianto in Giappone inizierà a produrre chip da 3 nm. Inoltre, TSMC sta sviluppando uno stabilimento in Germania, che inizierà con la produzione di parti da 22 e 28 nm, con l’intenzione di ampliare le capacità fino a 16 e 12 nm in una fase successiva.


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